[实用新型]碳基场效应晶体管传感器有效
| 申请号： | 202022953776.9 | 申请日： | 2020-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN214097255U | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 曹觉先;刘逸为;张志勇;赵为 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414;B82Y15/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京行高知识产权代理有限公司 32404 | 代理人： | 王培松;王菊花 |
| 地址： | 411105 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及场效应管领域，公开一种碳基场效应晶体管传感器，包括：位于底层的栅极；位于栅极的一侧的第一介质层；位于所述第一介质层背离所述栅极一侧表面的碳纳米管层；位于所述碳纳米管层背离所述第一介质层一侧表面的第二介质层；位于所述第二介质层背离所述碳纳米管层一侧表面的铁电材料层、源极与漏极，所述铁电材料层设置在源极与漏极之间、并与源极与漏极分别电连接；以及位于铁电材料层背离第二介质层一侧表面的敏感层；其中，所述敏感层作为传感器探针，被设置成包括用于探测待测对象的敏感材料。本实用新型通过铁电层与碳纳米管的界面处累积的电荷所产生的电场对碳纳米管的沟道形成影响，提高传感器的响应灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 传感器 | ||
【主权项】：
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