[实用新型]一种二维沟槽型高压SOI-LIGBT结构有效
| 申请号： | 202022977172.8 | 申请日： | 2020-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN213988866U | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 周炳;赵承杰;王源政 | 申请（专利权）人： | 张家港意发功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13;H01L23/29;H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种二维沟槽型高压SOI‑LIGBT结构，包括衬底衬底的上端设有结构本体，结构本体的下端开设有凹槽，衬底的上端齿牙，齿牙的外侧插接于凹槽内，衬底的外壁设有弹性层，弹性层的外侧设有防腐层，防腐层的外侧设有耐磨层。该结构设有多个防护层可以对SOI‑LIGBT结构进行充分的保护；通过齿牙插入到凹槽中，在采用粘胶进行固定，使得衬底与结构本体之间的连接较为紧密。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 沟槽 高压 soi ligbt 结构 | ||
【主权项】：
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