[实用新型]一种具有缓冲层结构的半导体器件有效
| 申请号： | 202022977184.0 | 申请日： | 2020-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN213782021U | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 曾嵘;任春频;刘佳鹏;周文鹏;陈政宇;赵彪;余占清 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11594 | 代理人： | 张陆军;张迎新 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型属于功率半导体器件测试领域，特别涉及一种具有缓冲层结构的半导体器件，包括依次设置的第一掺杂剂区域、第二掺杂剂区域、第三掺杂剂区域，还包括择一或多个组合设置的上掺杂剂区域、下掺杂剂区域、中部掺杂剂区域；所述上掺杂剂区域位于第一掺杂剂区域和第二掺杂剂区域之间；所述下掺杂剂区域位于第二掺杂剂区域和第三掺杂剂区域之间；所述中部掺杂剂区域位于第二掺杂剂区域中间，本实用新型的优点在于，能够实现较小的漏电流，从而提高器件的耐压能力，以及可运行的最高结温，增大器件的通流能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 缓冲 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
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