[实用新型]LED外延结构和LED器件有效
| 申请号： | 202022982301.2 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN214099643U | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技（宿迁）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 沈晓敏 |
| 地址： | 223800 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种LED外延结构和LED器件，LED外延结构，其从下向上依次包括衬底、非掺杂半导体层、N型半导体层、多量子阱区、和P型半导体层，LED外延结构还包括设于多量子阱区下方的至少一组电子富集层组，于每组电子富集层组内，堆叠设有In掺杂浓度从下至上依次递增的多层掺In电子富集层；多量子阱区内包括多个交替堆叠设置的势阱层组和势垒层，于每组势阱层组内，堆叠设有In掺杂浓度从下至上依次递减的多层掺In势阱层。减小了因In偏析导致外延层中应力失配而引入位错、层错、V型缺陷和孔隙等结构缺陷的可能，从而增强晶格质量；并且，增加了量子阱两端的势能差，增加电子与空穴的复合效率，进一步提高了发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | led 外延 结构 器件 | ||
【主权项】：
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