[实用新型]一种集成光电传感器

摘要

本实用新型提供了一种高增益及宽动态响应范围的集成光电传感器，其掺杂源区和掺杂漏区间隔设置于衬底的顶部，掺杂源区顶部形成源极电极，掺杂漏区顶部形成漏极电极；栅绝缘层设置于掺杂源区和掺杂漏区之间，其顶部设置有栅电极；掺杂源区、源极电极、掺杂漏区、漏极电极、栅绝缘层和栅电极形成场效应晶体管；光敏掺杂区与所述衬底形成光敏二极管，所述光敏掺杂区顶部形成光敏二极管的顶部电极，所述衬底为光敏二极管的底部电极并与场效应晶体管的背沟道相连；所述隔离区设置于所述光敏二极管与所述场效应晶体管之间。该集成光电传感器结构简单，容易实现低成本制造。