[实用新型]一种增强型半导体器件有效
| 申请号： | 202023057904.8 | 申请日： | 2020-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN213635993U | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 程凯 | 申请（专利权）人： | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人： | 孟潭 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供一种增强型半导体器件，包括：衬底、依次形成在衬底上的p型半导体层以及n型半导体层，所述n型半导体层的栅极区域具有贯穿所述n型半导体层的第一凹槽，暴露出p型半导体层的栅极区域；沟道层，所述沟道层保形地设置在n型半导体层上以及所述第一凹槽内；势垒层，所述势垒层保形地设置在沟道层上。增强型半导体器件的结构简单，重复性好，而且避免给沟道层和势垒层带来的杂质和缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 半导体器件 | ||
【主权项】：
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