[实用新型]晶圆表面金属离子采集装置有效
| 申请号： | 202023059989.3 | 申请日： | 2020-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN213546269U | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 蒲以松 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;陈丽宁 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种晶圆表面金属离子采集装置，包括：底座；载台；使扫描液在晶圆表面滚动，以收集晶圆表面金属离子的扫描机构；控制扫描机构运动的扫描臂；控制扫描臂在底座上进行三维运动的运动机构；控制载台、扫描机构及运动机构的工作状态的控制单元；扫描机构包括至少两个采集器，不同的采集器具有相同或不同数量扫描喷嘴，至少两个采集器以不同组合方式设置于扫描臂上，不同组合方式包括：至少两个具有相同数量扫描喷嘴的采集器进行组合、或至少两个具有不同数量扫描喷嘴的采集器进行组合。本公开晶圆表面金属离子采集装置可实现多种扫描模式，提升扫描效率，提高整体测试速度和测试能力，检测效率高，节约成本，满足大规模测试需要。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 金属 离子 采集 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
