[实用新型]一种下电极组件及等离子体处理装置有效
| 申请号： | 202023070019.3 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN213583694U | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 郭二飞;吴磊;叶如彬;黄国民;倪图强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 徐雯琼;张静洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种下电极组件及所处的等离子体处理装置，本实用新型通过在基座和边缘环组件之间设置保护环来覆盖焊接线和基座上的螺孔，同时将边缘环组件与基座之间的间隙减小，以及在基座外侧设置保护层，避免了基片和聚焦环上方的等离子体泄漏到基座与边缘环组件之间的间隙内，防止了等离子体腐蚀基座及其附属配件，降低了下电极组件可能出现的电弧放电的可能性，并且阻挡保护层覆盖不足的焊接线和基座上螺孔处产生电弧的概率，有效的保证了下电极组件的使用安全。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电极 组件 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
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