[实用新型]高光提取效率的LED芯片结构有效
| 申请号： | 202023082850.0 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN214336735U | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 张秀敏 | 申请（专利权）人： | 普瑞（无锡）研发有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 江苏漫修律师事务所 32291 | 代理人： | 熊启奎;周晓东 |
| 地址： | 214192 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本实用新型公开了一种高光提取效率的LED芯片结构，包括：在芯片衬底上依次生长N‑GaN层、量子阱层和P‑GaN层，在P‑GaN层上镀ITO膜，在此基础上利用沉积SiO |
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| 搜索关键词： | 提取 效率 led 芯片 结构 | ||
【主权项】：
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