[实用新型]一种双控存储设备VPD信息写入结构有效
| 申请号： | 202023084428.9 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN213814665U | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 智绪东 | 申请（专利权）人： | 苏州浪潮智能科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F13/42 | 分类号： | G06F13/42;G06F8/61 |
| 代理公司： | 济南诚智商标专利事务所有限公司 37105 | 代理人： | 黄晓燕 |
| 地址： | 215100 江苏省苏州市吴*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开的一种双控存储设备VPD信息写入结构，应用于双控存储设备VPD信息写入，包括背板，其中，所述背板上设置上拉电阻，所述上拉电阻电性连接上拉电源，所述上拉电阻电性连接所述双控存储设备一个主板的OSES处理模块和VPD存储模块；所述背板上设置接地端，所述接地端通过接口电性连接所述双控存储设备另一个主板的OSES处理模块和VPD存储模块；两个所述OSES处理模块通过背板上的总线连接；两个所述OSES处理模块分别通过各自主板上的总线连接各自对应的所述VPD存储模块。通过检测所述OSES处理模块的GPIO的电平信号获取目标VPD存储模块的地址信息，并根据目标VPD存储模块的地址信息执行VPD信息写入程序，从而确保VPD信息始终能写入到正确的主板的VPD存储模块中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储 设备 vpd 信息 写入 结构 | ||
【主权项】：
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