[实用新型]一种半导体磷化物注入合成系统有效
| 申请号： | 202023142510.2 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN215028656U | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 孙聂枫;王书杰;刘惠生;孙同年 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | B01J4/00 | 分类号： | B01J4/00;B01J19/00;C01B25/08 |
| 代理公司： | 石家庄众志华清知识产权事务所(特殊普通合伙) 13123 | 代理人： | 聂旭中 |
| 地址： | 050000 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 一种半导体磷化物注入合成系统，属于半导体磷化物的制备技术领域，包括炉体、设置在炉体上方的屏蔽承载箱、设置在屏蔽承载箱内的磷源承载器、设置在磷源承载器下方的注入管以及配套设置在炉体内底部的坩埚，所述磷源承载器包括磷源承载器主体和磷源承载器上盖、设置在磷源承载器主体内底部的发热体基座、设置在发热体基座上的发热体；在保温层和屏蔽承载箱内壁之间设置感应线圈。通过对磷源承载器结构本身进行改进，可提高合成系统受热均匀，提高的稳定性，可使得整个合成系统进行定量合成，降低了磷源承载器爆炸的危险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 磷化 注入 合成 系统 | ||
【主权项】：
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