[实用新型]一种二维半导体晶体管结构有效
| 申请号： | 202023163499.8 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN214012946U | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 包文中;马静怡;郭晓娇;童领;陈新宇;缑赛飞;周鹏;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/24;H01L29/36;H01L29/423;H01L21/34;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体器件技术领域，具体为一种二维半导体晶体管结构。本实用新型包括衬底、位于衬底上的二维半导体材料、源漏金属电极、氧化物介质层和位于介质层上的叠层金属栅极；氧化物介质层为双层介质层，叠层金属栅极为底层活泼金属和顶层惰性金属的双层金属栅极结构。本实用新型利用底层活泼金属与氧化物介质层I直接接触，发生固相扩散反应形成双层介质层，通过控制底层活泼金属的厚度，使二维半导体材料的载流子浓度受电偶极子效应的精确调控。本实用新型可以调节二维半导体场效应晶体管的阈值电压、提高器件的开关比和开态电流，在大规模数字集成电路的制造中有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 半导体 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
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