[实用新型]一种任意衬底上单晶AlN薄膜体声波谐振器有效
| 申请号： | 202023206561.7 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN215268208U | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 李国强;赵利帅;衣新燕;张铁林;欧阳佩东;刘红斌 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/17 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍;江裕强 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种任意衬底上单晶AlN薄膜体声波谐振器。该谐振器包括：衬底、硅腔、单晶二维材料、Al缓冲层、第一金属电极、压电层及第二金属电极；所述衬底与单晶二维材料连接，衬底与单晶二维材料的连接面向衬底内凹陷形成硅腔；Al缓冲层沉积在所述单晶二维材料上，第一金属电极生长在Al缓冲层上；压电层与第一金属电极、单晶二维材料连接；第二金属电极沉积在压电层上。本实用新型将基于单晶AlN压电堆叠结构用于薄膜体声波谐振器的制备中，单晶AlN薄膜在压电性能上优于目前薄膜体声波谐振器中应用到的多晶AlN压电薄膜，从而提高器件的品质因数和有效机电耦合系数。同时避免了单晶AlN谐振器对衬底的严格要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 任意 衬底 上单晶 aln 薄膜 声波 谐振器 | ||
【主权项】：
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