[实用新型]一种氮化镓半导体生产用的单晶炉有效
申请号: | 202023235916.5 | 申请日: | 2020-12-29 |
公开(公告)号: | CN214458451U | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 鲁煜;王祎;刘玉良;姜经理;谭大胜 | 申请(专利权)人: | 浙江中电环境科技有限公司 |
主分类号: | C30B29/40 | 分类号: | C30B29/40;C30B35/00 |
代理公司: | 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253 | 代理人: | 王家蕾 |
地址: | 314000 浙江省嘉兴*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种氮化镓半导体生产用的单晶炉,包括固定框、单晶炉本体、抽气口、搅拌轴和伺服电机,所述固定框的内部通过轴承安装有单晶炉本体,且单晶炉本体的内部设置有加热管,所述单晶炉本体的底端开设有下料槽,所述固定框顶端通过轴承安装有贯穿单晶炉本体的第一转轴,且第一转轴的外壁皆设置有搅拌轴,所述第一转轴的外壁设置有第一锥形齿轮,所述单晶炉本体的外壁设置有第二锥形齿轮,所述固定框的内侧通过轴承安装有第二转轴。该氮化镓半导体生产用的单晶炉,通过第三锥形齿轮带动第二锥形齿轮相啮合,进而第二锥形齿轮带动单晶炉本体与第一转轴异向转动,便于对单晶炉本体内材料充分搅拌,调高了搅拌效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 氮化 半导体 生产 单晶炉 | ||
【主权项】:
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