[实用新型]一种碳化硅单晶生长装置有效
| 申请号： | 202023279899.5 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN214032756U | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 张洁;廖弘基;陈华荣 | 申请（专利权）人： | 湖南三安半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 严诚 |
| 地址： | 410000 湖南省长沙市高新开发*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种碳化硅单晶生长装置，涉及碳化硅生长技术领域。该碳化硅单晶生长装置包括第一坩埚、第二坩埚、第一坩埚盖和第二坩埚盖。第二坩埚盖盖设于第二坩埚上，且与第二坩埚共同围成生长空腔，第二坩埚设置于第一坩埚内，第一坩埚盖盖设于第一坩埚上，以对生长空腔进行保温。与现有技术相比，本实用新型提供的碳化硅单晶生长装置由于采用了设置于第一坩埚内的第二坩埚以及盖设于第二坩埚上的第二坩埚盖，所以能够准确控制碳化硅单晶生长的温度分布，使碳化硅单晶的生长条件保持稳定，避免对碳化硅单晶的生长质量造成影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 生长 装置 | ||
【主权项】：
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