[实用新型]一种超高场发射匀场线圈结构有效

专利信息
申请号: 202023281636.8 申请日: 2020-12-29
公开(公告)号: CN214252552U 公开(公告)日: 2021-09-21
发明(设计)人: 魏子栋;钟继凡 申请(专利权)人: 深圳市联影高端医疗装备创新研究院
主分类号: G01R33/387 分类号: G01R33/387
代理公司: 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 代理人: 丁倩
地址: 518017 广东省深圳市福田区福*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型涉及一种超高场发射匀场线圈结构,包括多个偶极子天线单元,多个偶极子天线单元环绕分布在负载的外侧,偶极子天线单元包括介质层和偶极子天线,偶极子天线设置于介质层的一侧,介质层远离偶极子天线的一侧靠近负载设置,其中,至少一个偶极子天线单元的介质层具有多层介质且多层介质中的至少一层介质为高介电材料,高介电材料位于对应的偶极子天线单元靠近负载的一侧;其由于在偶极子和负载之间设置介质层,可以提高天线发射场的匀场调节能力,而高介电材料的设置,可以额外调节天线发射场的均匀性,该线圈结构较现有鸟笼结构具有在超高场下更优的射频场匀场调节能力和发射效果。
搜索关键词: 一种 超高 发射 线圈 结构
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