[实用新型]一种HEMT与嵌入式电极结构LED的单片集成器件

摘要

本实用新型属于半导体的技术领域，公开了一种HEMT与嵌入式电极结构LED的单片集成器件。单片集成器件从下到上依次包括衬底、金属键合层、第一钝化层、组合区域、p‑GaN层、AlGaN电子阻挡层、InGaN/GaN多量子阱层、n‑GaN层和第二钝化层；组合区域分为HEMT区和LED区，HEMT区从下到上依次包括电极层、AlGaN势垒层、GaN沟道层、AlGaN背势垒层、i‑GaN缓冲层；LED区从下到上依次包括P电极、Ag反射层；器件包括N电极，N电极贯穿于P电极等，N电极的两端延伸至金属键合层和n‑GaN层的内部。本实用新型的器件简单，实现了可见光系统，提高了LED的带宽，改善了器件的性能。