[实用新型]氮化镓高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 202023324503.4 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN213660413U | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 赵成;韩亚;孙越;王思元;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 郭翔 |
| 地址： | 225008 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 氮化镓高电子迁移率晶体管。涉及氮化镓功率半导体器件。提供了一种提高器件的阻断电压，同时使器件的栅极电极、源极电极、漏极电极汇集于其结构的顶面，形成共面的器件输入输出电极结构，便于实现器件的平面集成以及在功率集成电路中的氮化镓高电子迁移率晶体管。包括从下而上依次相接设置的基板、过渡层、漂移层、电流阻挡层、通道层、势垒层、欧姆接触层和金属电极层；所述电流阻挡层的内侧的中部设有电流阻挡层孔径。本实用新型具有提高器件的阻断电压，同时使器件的栅极电极、源极电极、漏极电极汇集于其结构的顶面，形成共面的器件输入输出电极结构，便于实现器件的平面集成以及在功率集成电路中的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
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