[实用新型]氮化镓金属氧化物半导体晶体管有效
| 申请号： | 202023324520.8 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN213660417U | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 赵成;孙越;韩亚;王思元;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/778;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/417 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 郭翔 |
| 地址： | 225008 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 氮化镓金属氧化物半导体晶体管。涉及氮化镓功率半导体器件。提供了一种采用环状漂移区结构，增大器件结构中漂移区的长度以提高器件的阻断电压，同时使器件的栅极电极、源极电极、漏极电极汇集于其结构的顶面，形成共面的器件输入输出电极结构，便于器件的平面集成的氮化镓金属氧化物半导体晶体管。本实用新型具有增大器件结构中漂移区的长度以提高器件的阻断电压，同时使器件的栅极电极、源极电极、漏极电极汇集于其结构的顶面，形成共面的器件输入输出电极结构，便于器件的平面集成等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 金属 氧化物 半导体 晶体管 | ||
【主权项】：
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