[实用新型]氮化镓肖特基势垒二极管有效
| 申请号： | 202023324529.9 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN213660420U | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 赵成;韩亚;孙越;王思元;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/40 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 郭翔 |
| 地址： | 225008 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 氮化镓肖特基势垒二极管，涉及氮化镓功率半导体器件。包括基板、过渡层、漂移层、有源区、漂移通道、场板和金属电极层；有源区包括依次相接的漂移层和有源区第一半导体层；有源区第一半导体层、漂移层和两个漂移通道构成一个环状的漂移区结构，相对于仅有横向漂移区的横向型氮化镓肖特基势垒二极管结构或者仅有垂直漂移区的垂直型氮化镓肖特基势垒二极管结构，漂移区的路径总长度大于制作在相同基板及外延层尺寸的横向型器件结构，由此增大氮化镓肖特基势垒二极管的阻断电压。本案具有提高器件的阻断电压，同时使阳极电极、阴极电极和场板电极汇集于器件结构的顶面，形成共面的器件输入输出电极结构，便于器件平面集成等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 肖特基势垒二极管 | ||
【主权项】：
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