[实用新型]氮化镓PIN二极管有效
| 申请号： | 202023324561.7 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN213660419U | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 赵成;王思元;韩亚;孙越;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/417 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 郭翔 |
| 地址： | 225008 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 氮化镓PIN二极管。涉及一种氮化镓功率半导体器件。提供了一种增大器件结构中漂移区的长度，提高器件的阻断电压，同时使阳极电极、阴极电极和场板电极汇集于器件结构的顶面，形成一种共面的器件输入输出电极结构，便于实现器件的平面集成以及在功率集成电路中的应用的氮化镓PIN二极管及其制备方法。本实用新型具有增大器件结构中漂移区的长度，提高器件的阻断电压，同时使阳极电极、阴极电极和场板电极汇集于器件结构的顶面，形成一种共面的器件输入输出电极结构，便于实现器件的平面集成以及在功率集成电路中的应用等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 pin 二极管 | ||
【主权项】：
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