[实用新型]高耐压碳化硅肖特基二极管有效
| 申请号： | 202023326774.3 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN213692015U | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 宋亚东 | 申请（专利权）人： | 苏州安萨斯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/32 | 分类号： | H01L23/32;H01L23/02;H01L23/49;H01L23/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 苏州卓博知识产权代理事务所(普通合伙) 32491 | 代理人： | 马丽丽 |
| 地址： | 215131 江苏省苏州市相城经济技术开发区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了高耐压碳化硅肖特基二极管，包括二极管主体与焊接可拆座，所述二极管主体的一侧固定连接有连接层，所述连接层的中部开设有焊孔，所述焊接可拆座的下端定位连接有正极接插件与负极接插件，所述焊接可拆座的两侧固定连接有二号安装架与一号安装架，所述一号安装架的一端固定连接有一号定位架，所述一号定位架的内表面固定连接有贴合层。本实用新型所述的高耐压碳化硅肖特基二极管，设有焊接可拆座与加强式耐压外壳，能够方便更好的对二极管进行定位操作，在损坏的时候拆装更为容易，无需整体进行更换，还可以增加二极管的耐压与绝缘效果，增加二极管的使用性能，便于更好的进行使用，带来更好的使用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 耐压 碳化硅 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
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