[实用新型]芯片及固态纳米孔微阵列装置

摘要

本实用新型公开了一种芯片及固态纳米孔微阵列装置，芯片包括SOI硅片和掩膜层；SOI硅片包括埋氧层、顶面硅层和底面硅层，掩膜层分别沉积在顶面硅层和底面硅层上；掩膜层上分别蚀刻有露出顶面硅层和底面硅层的轨迹线，每个掩膜层上的轨迹线的条数至少为2条；沿着轨迹线，顶面硅层和底面硅层上分别腐蚀形成露出埋氧层的V形槽；埋氧层上位于顶面硅层和底面硅层的V形槽交汇处腐蚀有纳米孔，避免了TEM/HIM打孔的步骤，简化了芯片制备步骤，降低了成本。芯片上阵列有多个纳米孔，采用相同的微流控通道和膜片钳设备，一次就可以完成单孔芯片数次才能完成的测试任务，大大提高了测试效率，提高了测试通量。