[发明专利]用于多晶圆堆叠和切割的方法在审
| 申请号： | 202080000179.4 | 申请日： | 2020-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN111226313A | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 何家兰 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/98 | 分类号： | H01L21/98;H01L21/78;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 刘柳;杨锡劢 |
| 地址： | 430223 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种方法包括：提供包括载体晶圆和第一设备晶圆的结构，粘附层在载体晶圆和第一设备晶圆之间；以及在结构中形成多个第一消融结构，多个第一消融结构中的每一者穿过第一设备晶圆、粘附层和载体晶圆的一部分延伸。多个第一消融结构中的每一者具有在载体晶圆内部的具有不大于载体晶圆的厚度的一半的深度的一部分。第一设备晶圆包括多个第一裸片，每对相邻的第一裸片由多个第一消融结构中的一者分离。多个第一消融结构通过激光切槽或机械锯切而形成。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 多晶 堆叠 切割 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
