[发明专利]先进的存储结构和设备有效
| 申请号： | 202080000205.3 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN111344790B | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 喻丹 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C11/02 | 分类号： | G11C11/02;G11C11/44;G11C7/04 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 杨锡劢;刘柳 |
| 地址： | 430223 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 提供了存储设备和方法。在一个方面，一种存储结构可以包括第一场元件、第二场元件、可移动磁性元件和第一加热器。第一场元件可以是超导体。第二场元件可以被设置为面对第一场元件并且与第一场元件相距第一距离。可移动磁性元件可以被第二场元件排斥并且设置在第一场元件和第二场元件之间的空间中。第一加热器可以布置在第一场元件附近。可移动磁性元件可以响应于流过第一加热器的第一电流而朝向第一场元件移动。 | ||
| 搜索关键词： | 先进 存储 结构 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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