[发明专利]在三维存储器件中的阶梯结构及用于形成其的方法在审
申请号: | 202080000602.0 | 申请日: | 2020-03-23 |
公开(公告)号: | CN114586153A | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
发明(设计)人: | 张中;孙中旺;周文犀 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/11524 | 分类号: | H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582 |
代理公司: | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人: | 张殿慧;刘健 |
地址: | 430223 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 公开了具有阶梯结构的3D存储器件以及用于形成其的方法的实施例。在示例中,3D存储器件包括存储阵列结构和阶梯结构,该阶梯结构在存储阵列结构的中间体中并且将存储阵列结构横向地划分为第一存储阵列结构和第二存储阵列结构。阶梯结构包括第一阶梯区域和连接第一存储阵列结构和第二存储阵列结构的桥接结构。第一阶梯区域包括在第一横向方向上并且在不同的深度处彼此面对的第一对阶梯。各阶梯包括多个台阶。各阶梯包括在垂直于第一横向方向的第二横向方向上在不同的深度处的分区。第一对阶梯中的至少一个台阶通过桥接结构电连接至第一存储阵列结构和第二存储阵列结构中的至少一者。 | ||
搜索关键词: | 三维 存储 器件 中的 阶梯 结构 用于 形成 方法 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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