[发明专利]三维存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202080000770.X | 申请日： | 2020-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN111527605B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 王清清;徐伟;周文斌 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11568 | 分类号： | H01L27/11568;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 杨锡劢;赵磊 |
| 地址： | 430223 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种用于形成3D存储器件的方法。所述方法包括在衬底上形成交替的电介质堆叠。然后，形成垂直贯穿交替的电介质堆叠的多个沟道结构和虚设沟道结构，沟道结构位于核心区域，并且虚设沟道结构位于阶梯区域。栅极线狭缝结构被形成为垂直贯穿交替的电介质堆叠并且在第一方向上横向延伸。栅极线狭缝结构包括在与第一方向不同的第二方向上具有减小的宽度的狭窄部分。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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