[发明专利]3D NAND闪存及其操作方法有效
| 申请号： | 202080000832.7 | 申请日： | 2020-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN111630600B | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 刘红涛;黄德佳;魏文喆;黄莹 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34;G11C16/08;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉;刘景峰 |
| 地址： | 430223 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种用于三维(3D)NAND闪存的增量步进脉冲编程(ISPP)的编程方法包括：对所述3D NAND闪存的未选择位线的选择字线进行编程；至少利用验证电压对所述选择字线执行第一验证过程；确定用于所述选择字线的所述第一验证过程的第一验证电压是否高于默认电压；以及当所述第一验证电压高于所述默认电压时，去除所述ISPP的预脉冲阶段；其中，所述第一验证电压为紧随在所述第一验证过程之后的验证电压。 | ||
| 搜索关键词： | nand 闪存 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
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