[发明专利]用于4堆叠3D PCM存储器的新型分布式阵列和触点架构在审

专利信息
申请号: 202080001056.2 申请日: 2020-05-12
公开(公告)号: CN111758171A 公开(公告)日: 2020-10-09
发明(设计)人: 刘峻 申请(专利权)人: 长江先进存储产业创新中心有限责任公司
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00;H01L27/24
代理公司: 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 代理人: 赵磊;刘柳
地址: 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 一种三维存储器包括在深度方向上堆叠的存储单元层。底部单元层包括底部单元阵列块,顶部单元层包括在垂直方向上与底部单元阵列块对齐的顶部单元阵列块,并且至少一个中间单元层包括在垂直方向上与底部单元阵列块偏移的中间单元阵列块。该存储器包括多条位线和多条位线触点,其中底部单元位线触点连接到底部单元位线,顶部单元位线触点连接到顶部单元位线和底部单元位线,而中间单元位线触点连接到中间单元位线,并位于底部单元阵列块之间的空间中。
搜索关键词: 用于 堆叠 pcm 存储器 新型 分布式 阵列 触点 架构
【主权项】:
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