[发明专利]用于具有更高阵列效率的3D相变存储器的阵列和CMOS架构在审
| 申请号： | 202080001271.2 | 申请日： | 2020-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN111837188A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉;刘景峰 |
| 地址： | 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种三维存储器架构，包括存储单元的顶部单元阵列、存储单元的底部单元阵列、耦合到该阵列的多个字线、以及耦合到字线并且可操作用于选择性地激活字线的多个字线解码器。多个字线解码器从底部单元阵列的第一边缘延伸并从底部单元阵列的第二边缘延伸，第二边缘与第一边缘相对，其中多个字线解码器包括字线解码器的第一部分和字线解码器的第二部分，其中字线解码器的第一部分相对于字线解码器的第二部分沿着平行于或基本平行于第一边缘和第二边缘的方向偏移。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 具有 更高 阵列 效率 相变 存储器 cmos 架构 | ||
【主权项】：
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