[发明专利]3D NAND闪速存储器件及其集成方法有效
| 申请号： | 202080001324.0 | 申请日： | 2020-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN111758160B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 顾沂;侯春源;李跃平;陈嘉伟 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11529 | 分类号： | H01L27/11529;H01L27/11553;H01L27/11573;H01L27/11578;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 刘健;张殿慧 |
| 地址： | 430223 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于3D NAND闪速存储器件的集成方法包括：在CMOS管芯上设置多个3D三级单元(TLC)NAND闪速存储器；在3D NAND闪速存储器件的CMOS管芯上设置至少一NOR闪速存储器；以及将所述至少一NOR闪速存储器连接到3D NAND闪速存储器件的开放NAND闪存接口(ONFI)；其中，所述至少一NOR闪速存储器设置于CMOS管芯的未使用区域上。 | ||
| 搜索关键词： | nand 存储 器件 及其 集成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
