[发明专利]具有漏极选择栅极切口的三维存储器器件及其形成和操作方法在审
| 申请号： | 202080001331.0 | 申请日： | 2020-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN111902938A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 赵利川 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11582;H01L27/11524;H01L27/11556;G11C16/04;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉;刘景峰 |
| 地址： | 430223 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了3D存储器器件及其形成和操作方法的实施例。在示例中，3D存储器器件包括存储器堆叠层、多个存储器串、多个位线触点，每个位线触点与多个存储器串中的相应一个存储器串接触。存储器堆叠层包括交错的导电层和电介质层。每个存储器串垂直延伸穿过存储器堆叠层。导电层包括被配置为控制多个存储器串的漏极的多条漏极选择栅极(DSG)线。多个存储器串被划分为多个区域，在平面图中，多个区域是存储器堆叠层的最小重复单位。多个存储器串中的每一个邻接DSG线中的至少一条。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 选择 栅极 切口 三维 存储器 器件 及其 形成 操作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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