[发明专利]用于对三维FeRAM中的存储单元进行读取和写入的方法在审
| 申请号： | 202080001482.6 | 申请日： | 2020-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN111937073A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 汤强 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22;G11C11/40;G11C5/02 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉;刘景峰 |
| 地址： | 430223 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了一种用于三维铁电存储器件的编程方法。该编程方法包括在目标存储单元的选定的字线上施加第一电压。目标存储单元具有分别对应于第一阈值电压和第二阈值电压的第一逻辑状态和第二逻辑状态。第一和第二阈值电压是由目标存储单元中的铁电膜的两个相反的电极化方向确定的。该编程方法还包括在选定的位线上施加第二电压，其中第一电压和第二电压之间的电压差具有大于铁电膜的矫顽电压的幅值，使得目标存储单元从第一逻辑状态切换到第二逻辑状态。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 三维 feram 中的 存储 单元 进行 读取 写入 方法 | ||
【主权项】：
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