[发明专利]半导体装置和其制造方法在审
| 申请号： | 202080001507.2 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN111937156A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 张安邦;黄敬源 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 519085 广东省珠*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本公开的一些实施例提供一种半导体装置。所述半导体装置包括：衬底；第一氮化物半导体层，其处于所述衬底上；第二氮化物半导体层，其处于所述第一氮化物半导体层上并且具有大于所述第一氮化物半导体层的带隙的带隙；III‑V族介电层，其安置于所述第二氮化物半导体层上；栅电极，其安置于所述第二氮化物半导体层上；和第一钝化层，其安置于所述III‑V族介电层上，其中所述III‑V族介电层通过所述第一钝化层与所述栅电极间隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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