[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 202080001568.9 | 申请日： | 2020-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN111902945B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 黄敬源;李启珍 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙) 44588 | 代理人： | 王琴;曹玉存 |
| 地址： | 519085 广东省珠*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括半导体层、设置于所述半导体层上的第一经掺杂氮化物半导体层、设置于所述第一经掺杂氮化物半导体层上的第二经掺杂氮化物半导体层。所述半导体装置还包括位于所述半导体层及所述第一经掺杂氮化物半导体层之间的未经掺杂氮化物半导体层。所述未经掺杂氮化物半导体层具有与所述半导体层接触之第一表面及与所述第一经掺杂氮化物半导体层接触之第二表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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