[发明专利]等离子体处理装置以及等离子体处理装置的工作方法有效
| 申请号： | 202080001687.4 | 申请日： | 2020-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN113439327B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 秋永启佑 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 柯瑞京 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 为了提供使成品率提高的等离子体处理装置或者等离子体处理装置的工作方法，等离子体处理装置具备：配置于真空容器内部的处理室内的样品台；形成用于对其上方的晶圆进行处理的等离子体的等离子体形成空间以及在下方与所述等离子体形成空间连通的下部空间；配置于所述下部空间的底部的排气口；对包围该下部空间的所述真空容器的下部进行加热的加热器；在所述晶圆的处理时检测所述处理室内的压力的第一真空计；与配置于包围该下方的所述下部空间的外周的处理室的内壁的开口连通的校正用的第二真空计；使用将所述处理室内的压力视作0的程度的压力值以及比该压力值高的多个压力值中的所述第一以及第二真空计的输出来补正所述第一真空计的输出的补正机。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 以及 工作 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立高新技术，未经株式会社日立高新技术许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202080001687.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
