[发明专利]半导体结构和其制造方法在审
| 申请号： | 202080001825.9 | 申请日： | 2020-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN111989779A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 郝荣晖;黄敬源 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/861;H01L29/06;H01L29/30;H01L29/41;H01L29/417;H01L29/45;H01L21/329;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 519085 广东省珠*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 提供一种半导体结构和其制造方法所述半导体结构包含：衬底；第一氮化物半导体层，其安置在所述衬底上；第二氮化物半导体层，其安置在所述第一氮化物半导体层上且具有大于所述第一氮化物半导体层的带隙的带隙，所述第二氮化物半导体层形成第一凹部和第二凹部；以及电极，其安置在所述第二氮化物半导体层上且包括元素，其中，所述电极安置在所述第一凹部和所述第二凹部中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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