[发明专利]用于以较低成本形成垂直3D X-POINT存储器的新颖集成方案在审
| 申请号： | 202080001881.2 | 申请日： | 2020-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN112106201A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 刘健;张殿慧 |
| 地址： | 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种三维交叉点存储堆叠包括多个纵向延伸的垂直柱，所述柱包括与电介质层垂直交替的金属层，所述金属层提供字线。该架构还包括沿柱的横向侧面垂直延伸的位线。纵向方向垂直于垂直方向，并且横向方向垂直于垂直方向和纵向方向。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 低成本 形成 垂直 point 存储器 新颖 集成 方案 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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