[发明专利]3D NAND闪速存储器的擦除方法有效
| 申请号： | 202080002138.9 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN112154507B | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 李昌炫;张超;李海波 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/16 | 分类号： | G11C16/16;G11C16/08 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 刘柳;杨锡劢 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了三维(3D)存储器件的擦除方法的实施方式。3D存储器件包括：垂直地堆叠在衬底之上的多个层级，其中，每个层级包括多个存储器单元。擦除方法包括：检查擦除抑制层级的多个存储器单元的状态，并根据多个存储器单元的状态来准备擦除抑制层级。擦除方法还包括：在阵列公共源极处施加擦除电压，在擦除抑制层级的未选定字线上施加保持‑释放电压，并在目标层级的选定字线上施加低电压。 | ||
| 搜索关键词： | nand 存储器 擦除 方法 | ||
【主权项】：
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