[发明专利]具有用于源选择栅极线的隔离结构的三维存储器件及用于形成其的方法

摘要

公开了三维(3D)存储器件及用于形成其的方法的实施例。在一个示例中，一种3D存储器件包括：衬底；位于所述衬底上的存储堆叠层；各自垂直地延伸穿过所述存储堆叠层的多个沟道结构；以及一个或多个隔离结构。所述存储堆叠层包括多个交织的导体层和电介质层。所述导体层中的朝向所述衬底的最外面的一个导体层是源选择栅极线(SSG)。每个隔离结构在平面图中围绕所述沟道结构中的至少一个沟道结构以便分隔所述SSG与所述至少一个沟道结构。