[发明专利]具有屏蔽结构的半导体器件在审

专利信息
申请号: 202080002550.0 申请日: 2020-09-11
公开(公告)号: CN112236859A 公开(公告)日: 2021-01-15
发明(设计)人: 刘威;黄诗琪;陈亮 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: H01L23/552 分类号: H01L23/552;H01L27/11519;H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11531;H01L27/11556;H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11582
代理公司: 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 代理人: 张文锦;刘茹
地址: 430074 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 本公开内容的各方面提供了一种半导体器件。该半导体器件包括第一管芯。第一管芯包括半导体衬底,该半导体衬底具有在该半导体衬底的第一侧形成的晶体管。此外,第一管芯包括连接结构,该连接结构延伸穿过半导体衬底并将被设置在半导体衬底的第一侧上的第一导电层与被设置在半导体衬底的与该半导体衬底的第一侧相对的第二侧上的第二导电层导电地连接。此外,第一管芯包括被设置在半导体衬底中并且在连接结构与至少晶体管之间的屏蔽结构。屏蔽结构包括第三导电层并且可以缓解连接结构与晶体管之间的耦合。
搜索关键词: 具有 屏蔽 结构 半导体器件
【主权项】:
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