[发明专利]一种发光二极管的制作方法有效
申请号: | 202080002645.2 | 申请日: | 2020-01-06 |
公开(公告)号: | CN112166507B | 公开(公告)日: | 2022-07-22 |
发明(设计)人: | 江宾;臧雅姝;彭康伟;林素慧;刘小亮;朱秀山;曾炜竣;曾明俊 | 申请(专利权)人: | 厦门三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/22;H01L33/00;B23K26/38;B23K26/70;B23K101/36 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种发光二极管,包括:图形化衬底,第一发光半导体层,有源层,第二发光半导体层,与第一发光半导体层电连接的第一电连接层,与第二发光半导体层电连接的第二电连接层,衬底的图形一面作为出光面位于衬底远离第一发光半导体层的一侧,用以提升衬底取光效率,衬底的厚度不小于200μm,衬底图形的边缘离衬底边缘的距离为5μm至20μm,增加光萃取面积,提升发光二极管出光效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 发光二极管 制作方法 | ||
【主权项】:
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