[发明专利]半导体发光元件以及半导体发光装置有效

专利信息
申请号: 202080003367.2 申请日: 2020-05-14
公开(公告)号: CN112470297B 公开(公告)日: 2022-09-06
发明(设计)人: 光井靖智;久纳康光;广木均典;林茂生;粂雅博;能米雅信 申请(专利权)人: 新唐科技日本株式会社
主分类号: H01L33/64 分类号: H01L33/64;H01L33/38;H01L33/62
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 吕文卓
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 半导体发光元件(20),具有:半导体层叠体(30),具有n型层(32)、以及p型层(36),并且具有作为n型层(32)露出的凹部的一个以上的n露出部(30e);被配置在p型层(36)上的p布线电极层(42);绝缘层(44),连续地覆盖一个以上的n露出部(30e)的内侧面(30s)、以及p布线电极层(42)的上方的一部分,具有使n型层(32)露出的开口部(44a);n布线电极层(46),在开口部(44a)与n型层(32)接触,被配置在p型层(36)以及p布线电极层(42)的上方;以及一个以上的第一n连接部件(51),一个以上的第一n连接部件(51),分别在一个以上的第一n端子区域(51r)与n布线电极层(46)连接,在一个以上的第一n端子区域(51r)的下方,配置n布线电极层(46)以及p型层(36)。
搜索关键词: 半导体 发光 元件 以及 装置
【主权项】:
暂无信息
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