[发明专利]等离子体处理装置在审
| 申请号： | 202080004072.7 | 申请日： | 2020-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN115398601A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 明石将司 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 刘影娜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在各向同性蚀刻时，控制晶片上的自由基分布，并且防止第二遮挡板上表面的异物飞扬。等离子体处理装置具备：处理室(106)，其对样品进行等离子体处理；高频电源(113)，其供给用于生成等离子体的高频电力；样品台(120)，其载置所述样品；以及第一平板(115)，其配置于所述样品台(120)的上方且具有多个贯通孔(170)，所述等离子体处理装置还具备：第二平板(116)，其配置于所述第一平板(115)与所述样品台(120)之间且与所述第一平板(115)对置；以及气体供给口(150)，其配置于所述第一平板(115)与所述第二平板(116)之间的所述处理室(106)的侧面且供给气体，所述贯通孔(170)配置于从中心离开规定的距离的部位的外侧。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
