[发明专利]等离子处理装置以及等离子处理方法在审
| 申请号： | 202080004559.5 | 申请日： | 2020-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN113767453A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 田代骏介;植村崇;于盛楠;园田靖;佐藤清彦;长谷征洋 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张远 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 为了提供提高了成品率的等离子处理装置或者等离子处理方法，具备：配置在真空容器内部且在内侧配置处理对象的晶片的处理室；与所述真空容器连结且与所述处理室连通、并向该处理室内供给具有附着性的处理用气体的处理气体供给管线；以及将与排气泵连接并与所述处理室连通的处理室排气管线和所述气体供给管线连结而将它们连通的所述处理用气体的气体排气管线，进行如下工序：在对所述晶片进行蚀刻的1个处理工序与下一个该处理工序彼此之间，在停止向所述处理室供给所述处理用气体的状态下经由所述气体排气管线以及所述处理室排气管线将所述气体供给管线内的所述处理用气体排气。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
