[发明专利]半导体制造方法在审
| 申请号： | 202080004964.7 | 申请日： | 2020-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN113767454A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 山口欣秀;藤崎寿美子 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴秋明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 为了提供成品率高的半导体制造方法，向处理室内供给将所述过渡金属络合物化的气体，从而对配置在容器内部的处理室内的半导体晶片的上表面的包含过渡金属的处理对象的膜进行蚀刻，该半导体制造方法进行如下工序，从而对所述处理对象的膜进行蚀刻：第1工序，供给所述络合物化气体，并使该气体吸附在所述膜，之后使所述晶片的温度升高，从而在所述膜表面形成有机金属络合物，并进行气化以使所述有机金属络合物脱离；和第2工序，供给所述络合物化气体，并在较低的温度下使所述络合物化气体吸附在所述膜表面，之后停止所述络合物化气体的供给，然后使所述晶片的温度阶段性地升高，从而使形成在所述膜表面的有机金属络合物气化而脱离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立高新技术，未经株式会社日立高新技术许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202080004964.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
