[发明专利]一种氮化镓器件及其驱动电路有效
| 申请号： | 202080005528.1 | 申请日： | 2020-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN112930602B | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 黄伯宁;侯召政;蒋其梦 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L29/45;H01L29/47 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种氮化镓器件及其驱动电路。其中，该氮化镓器件包括：衬底(100)；形成在衬底(100)之上的氮化镓GaN缓冲层(200)；形成在GaN缓冲层(200)之上的铝氮化镓AlGaN势垒层(300)；以及，形成在AlGaN势垒层(300)之上的源极(S)、漏极(D)和栅极；其中，栅极包括形成在AlGaN势垒层(300)之上的P型掺杂氮化镓P‑GaN盖层(400)，以及形成在P‑GaN盖层(400)之上的第一栅极金属(M1)和第二栅极金属(M2)，第一栅极金属(M1)与P‑GaN盖层(400)之间形成肖特基接触，第二栅极金属(M2)与P‑GaN盖层(400)之间形成欧姆接触。氮化镓器件为常闭型器件，有利于驱动电路的设计；并且，氮化镓器件具备由肖特基栅极和欧姆栅极共同构成的混合栅极结构，因此既能够减小导通过程中的栅极漏电，从而降低驱动功耗，又能够在导通时向AlGaN势垒层大量注入空穴，优化动态电阻，从而提高器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 器件 及其 驱动 电路 | ||
【主权项】：
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