[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202080005857.6 | 申请日： | 2020-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN113169123A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 泷下博;吉村尚;目黑美佐稀;根本道生 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/06;H01L27/088;H01L29/06;H01L29/78;H01L29/739;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 包跃华;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种半导体装置，其具备设置有N型区的半导体基板，N型区是包括半导体基板的深度方向上的中央位置的区域，N型区在中央位置包含浓度为载流子浓度的0.001倍以上的受主。半导体装置能够通过如下制造方法制造，该制造方法具备：准备P型的半导体基板的准备步骤、以及通过向P型的半导体基板注入N型的杂质并进行热处理，从而形成包括半导体基板的深度方向上的中央位置的N型区的第一反转步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
