[发明专利]处理装置及处理方法在审
申请号: | 202080005934.8 | 申请日: | 2020-01-22 |
公开(公告)号: | CN112970095A | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | 内田健哉;福井博之;植松育生;岩本武明;权垠相 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;铠侠股份有限公司;国立大学法人东北大学 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;C23C16/44 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 白丽 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 根据实施方式,本申请提供一种处理装置,其对在包含硅及卤族元素的原料物质的反应或者包含硅的原料物质与包含卤族元素的原料物质的反应中产生的副产物进行处理。处理装置具备处理液罐、处理槽、供给机构和排气机构。在处理液罐中贮液包含碱性的水溶液处理液。向处理槽中投入包含副产物被处理构件。供给机构从处理液罐向处理槽供给处理液,通过所供给的处理液,在处理槽中对副产物进行处理。排气机构将通过处理液与副产物的反应而产生的气体从处理槽排气。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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