[发明专利]微蚀刻剂和配线基板的制造方法有效
申请号: | 202080005956.4 | 申请日: | 2020-12-14 |
公开(公告)号: | CN113170585B | 公开(公告)日: | 2023-04-04 |
发明(设计)人: | 松本启佑;谷口真依;四辻智美;漆畑薰 | 申请(专利权)人: | MEC股份有限公司 |
主分类号: | H05K3/06 | 分类号: | H05K3/06 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的微蚀刻剂为用于铜的表面粗化的铜微蚀刻剂,且为含有无机酸、铜(II)离子源、卤化物离子源及聚合物的酸性水溶液,其中,聚合物为侧链含有氨基或季铵基的重均分子量1000以上的水溶性聚合物,在将硫酸根离子源的摩尔浓度设为Cs(mol/L),将卤化物离子源的摩尔浓度设为Ch(mol/L)时,0≤(Cs/Ch)≤0.004,卤化物离子源的摩尔浓度为铜(II)离子源的摩尔浓度的3.875倍以下。 | ||
搜索关键词: | 蚀刻 配线基板 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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